部品型番 | IXFT6N100F | メーカー | IXYS RF |
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説明 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 9102 pcs | データシート | IXFT6N100F.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 2.5mA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 (IXFT) |
シリーズ | HiPerRF™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 180W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1770pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 54nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V |
詳細な説明 | N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
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